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              公主肚兜下的浑圆被揉捏NP
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              砷化镓设备

              砷化镓多晶合成炉

              砷化镓多晶合成炉
              产品详情:

              VGF 、HB 、HGF 、VB产品特点:

              ★用于GaAs等化合物晶体的生长         

              ★按结构形式:垂直生长,水平生长

              ★按生长方式:梯度生长及移动生长        

              ★晶体生长尺寸::2-6寸

              ★设备分类:HB 、HGF 、VGF 、 VB     

              ★提供专用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成专用设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。

              主要技术指标:

              ★结构型式:单管水平式,加热炉体可左右移动    

              ★适合2~4″晶体生长工艺(可定制)。

              ★炉体有效加热长度:1600mm            

              ★最高工作温度:1300℃

              ★恒温区精度(静态闭管):±0.5℃

              ★升温速率(室温~1260℃):斜变升温速率可控在0~15℃/min

              ★降温(1300℃~900℃):0~5℃/min         

              ★供电电源:三相五线~380V±10% ,50Hz


              热门标签:砷化镓多晶合成炉
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